塑封料环氧塑封料(点击查看详细内容)
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商品详细介绍
环氧塑封料介绍
 
      EF-150C系列环氧塑封料是一种单组分热固性高分子复合材料,它是以环氧树脂为基体树脂,以酚醛树脂为固化剂,加上促进剂、阻燃剂、填料、颜料、偶联剂及其它微量组分,按一定的比例经过前混、挤出、粉碎、磁选、后混合、预成型(打饼)等工艺制成。主要用于封装晶体管和集成电路等半导体器件。
 
 
     我公司生产的环氧模塑料具有固化快、易操作、成型性好等特点。产品适用于各种封装形式,目前共有20多种产品型号,封装产品涵盖中小规模、大规模集成电路,各种功率器件、分立器件,具有良好的工艺性、较宽的适应性和较高的可靠性。可以提供从Φ9、Φ13、Φ14、Φ35、Φ40、Φ43等多种尺寸的产品,能够满足不同客户的产品需求。
 
 
No
型号
封装产品
1
EF-150C(C*)
普通钽电容、氧化铌钽电容、高分子钽电容
2
EF-150C(D*)
功率器件、高压硅堆
3
EF-150C(E*)
二极管、三极管
4
EF-150C(I*)
中小规模、大规模集成电路
5
EF-150C(Q*)
全包封产品
6
EF-150C(R*)
光电封装、红外接收头
 
 
 
封装工艺条件
 
  预热时间 25-30 s
  模具温度 170-190 ℃
  注塑压力 30-60 kg/cm2
  传递时间 15-20 s
  固化时间 90-180 s
  后固化温度 170-180 ℃
  后固化时间 4-8 h
 
  以上封装工艺为我司推荐,客户可根据实际情况自行调整封装工艺。
  预热对于环氧塑封料的模塑成型十分重要,在推荐条件下,料饼应该预热到能用手指捏变形即可,避免预热过软导致料饼塌陷。料饼预热后,要求在10秒内使用,以免在料饼加入模具前由于化学反应导致流动性变差,影响封装质量。
 
 
包装
 
  本产品用纸箱包装,内衬双层塑料袋,每箱净重15kg。
 
 
储存
 
  本产品应低温保存在干燥通风的冷库中,10℃以下,储存期6个月。
 
 
使用注意事项
 
  塑封料从冷库取出后,须在室温下放置8小时以上可打开包装使用,使用完毕须封口保存。塑封料在回温后放置超过72小时报废。
 
 
各型号介绍
 
1.   C系列环氧塑封料主要用于钽电容封装,包括二氧化锰钽电容、氧化铌电容、高分子片式钽电容。产品具有低应力、优异的成型性、高可靠性、快速固化性。
 
 
型号
CA
CB
CC
CD
CE
CM
颜色
蓝黑
蓝黑
 
特点
适用于普通钽电容封装
低应力,快速固化,优异的流动性,适用于氧化铌电容和高分子钽电容
拥有极好的成型性
流动长度/175℃/cm
65
65
55
55
55
70
凝胶时间/175℃/s
15
15
12
12
12
15
填料含量/%
74
74
88
88
88
74
CTE -α1/ppm/℃
20
20
13
13
13
20
CTE -α2/ppm/℃
70
70
42
42
42
70
Tg/℃
166
166
152
152
152
166
 
2.   D系列环氧塑封料主要用于高压硅堆、桥堆等高压器件的封装,产品具有优异的成型性,很高的流动性,超低应力、电学性能。特别适用于需要高温条件下具有良好电学性能的高压功率器件。
 
 
 
型号
DA
DB
特点
特别设计用于高压硅堆的封装,具有优异的流动性及可靠性。同时拥有高温下良好的电性能
快速固化性,同时具有优异的成型性和可靠性。
流动长度/175℃/cm
95
75
凝胶时间/175℃/s
28
16
填料含量/%
74
76
CTE -α1/ppm/℃
15
18
CTE -α2/ppm/℃
58
65
导热率/W/mK
1.4
1.5
Tg /℃
165
168
 
3.    E系列环氧塑封料主要用于分立器件(二极管、三极管)及表面贴片元件(SOD、SOT)的封装,产品拥有优良的成型性、较低成本。同时拥有优良的电学性能及可靠性,可在回流温度235度条件下达到JEDEC 3级要求。
 
 
型号
EN
EB
EA
EF
封装形式
DO
SOD/SOT
TO-92/126
TO-220/247
特点
适用于轴向二极管封装,具有优良的成型性和可靠性
较低应力、高可靠性,260℃回流条件下达到JEDEC 3级要求
优异成型性和可靠性
高导热、低应力。
流动长度/175℃/cm
75
85
80
70
凝胶时间/175℃/s
17
18
20
25
填料含量/%
74
73
75
78
CTE α1/ppm/℃
22
18
21
16
CTE α2/ppm/℃
75
65
73
60
Tg /℃
172
164
168
170
 
4.    I系列环氧塑封料主要用于IC器件(DIP、SOP、QFP、QFN)的封装,产品拥有优良的成型性、优良的电学性能及可靠性,可在回流温度260℃条件下达到JEDEC 1级要求。
 

型号
IA
IB
IC
封装形式
DIP
SOP
QFP/QFN
特点
低应力、具有优异的成型性和可靠性
高粘合性、超低应力、低吸湿性,高稳定性,适用于SOP封装
高粘合性、超低应力、低吸湿性,高稳定性、低翘曲,适应于大尺寸封装
流动长度/175℃/cm
90
100
110
凝胶时间/175℃/s
26
30
28
密度/g/cm3
1.75
1.95
1.95
粘度/175℃/Pa.s
20-40
20-40
20-40
填料含量/%
75
85
85
硅粉类型
熔融/球形
球形
球形
弯曲强度/kgf/mm2
20
18
18
弯曲模量/kgf/mm2
1880
1700
1750
CTE α1 /ppm/℃
14
12
9
CTE α2 /ppm/℃
50
40
35
导热率/w/m.k
0.8
1.4
1.5
水溶液萃取
氯离子/ppm
<5
<5
<5
钠离子/ppm
<1
<1
<1
溴离子/ppm
<5
<5
<5
电导率/ppm
10
10
10
阻燃等级
V-0
V-0
V-0
Tg /℃
162
150
145

 
5.    Q系列环氧塑封料主要用于全包封三极管(TO220F)的封装,产品具有高导热性,优良的成型性,优异的电性能。对于TO-220F热需求有高导热解决方案。低吸湿性和低热膨胀性,适用于应力敏感器件。
 
 
型号
QA
QB
封装形式
TO220F/3PF
TO220F/3PF
特点
高填料含量,拥有低应力、低吸湿性。并拥有优异的成型性和可靠性
进一步提高填料含量,具有更高的的导热系数及更低的应力
流动长度/175℃/cm
65
60
凝胶时间/175℃/s
25
27
填料含量/%
85
88
CTE α1/ppm/℃
18
15
CTE α2/ppm/℃
64
52
导热率/W/mK
1.9
2.1
Tg /℃
152
150
 
 
6.    R系列环氧塑封料主要用于红外接收头等光学半导体芯片的封装,产品具有优异的耐热性及耐湿性。可阻断840nm以下可见光。
 
 
型号
RA
封装形式
红外接收头
特点
可阻断840nm以下可见光,特别适用于红外接收头的封装
流动长度/175℃/cm
95
凝胶时间/175℃/s
40
透光率/1%/
830nm
CTE α1/ppm/℃
52
CTE α2/ppm/℃
161
Tg/℃
130
 
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